Thèse Ingénieur.e R&D Etude de l’évolution des surfaces de carbure de silicium à haute température

Job Locations FR-Bernin (près de Grenoble)
Posted Date 2 months ago(18/09/2024 18:32)
Job ID
2024-2639
Work from home
Yes
Position Type
CDD CIFRE

Introduce Soitec and context of the position

SOITEC est une entreprise spécialisée dans la fabrication de substrats avancés pour l’industrie micro-électronique. Elle exploite et développe le procédé Smart-CutTM qui permet de transférer une couche ultra fine de matériau cristallin sur un support. Elle fournit ainsi des substrats à base de carbure de silicium (Smart-SiC) servant à la réalisation de circuits intégrés pour les applications de puissance, en particulier pour les véhicules électriques.

Le procédé de transfert de couches de SOITEC autorisent des  traitements  à très hautes températures susceptibles de modifier en profondeur la surface d’un mono-cristal de SiC : évaporation sélective, reconstruction de surface … Il est primordial pour SOITEC de maitriser les processus à l’œuvre afin de garantir la qualité du produit final tout en améliorant le procédé de fabrication.

Ce projet de recherche de trois ans consiste à caractériser et à comprendre la physique des surfaces de SiC soumises à des recuits à haute température dans le contexte du développement d’un produit industriel.

What does the job consist?

L’objectif est de maîtriser la qualité du matériau final en développant une compréhension physique fine de l’évolution de la surface  du matériau. Il s’agira, en particulier, d’identifier et de comprendre les mécanismes de restructuration de la surfaces  et d’étudier leurs dépendances à la pression et à la composition de l’atmosphère de recuit. Le but est de proposer des modèles atomistiques décrivant quantitativement les dépendances de la rugosité de surface, de la composition de surface et de la vitesse de gravure du SiC-4H pour les deux faces Si et C de la surface (0001).

 

Dans le cadre de cette thèse, les recherches s'articuleront essentiellement selon trois axes :

1)Mettre en place les techniques de caractérisation nécessaires  pour décrire la dynamique des surfaces de SiC.
2)Caractériser la dynamique d’évolution de ces surfaces  en fonction des différents paramètres du recuit (temps, température, atmosphère, pression…).
3)Bâtir et valider des modèles physico-chimiques qui seront utilisées pour optimiser la rugosité de surface, l'élimination du SiC et le conditionnement de la pré-épitaxie. Les conditions optimales seront vérifiées expérimentalement.

 

Cette étude s’effectuera en interaction étroite avec les services de recherche et de développement de SOITEC à Bernin et des centres de recherches académiques spécialisés dans l’analyse des matériaux semi-conducteurs de puissance, tel le laboratoire CiNaM, situé à Marseille et le CRHEA à Nice.

Requirements & qualifications

Vous êtes Ingénieur ou titulaire d’un Master de recherche spécialisé en matériaux et composants semi-conducteurs.

Vous avez de solides connaissances en science des matériaux, particulièrement sur le comportement des matériaux cristallins et en physique des solides. On vous reconnaît l’ouverture d’esprit, la curiosité et la persévérance pour travailler dans un environnement de recherche appliquée chez un industriel en collaborations avec plusieurs partenaires académiques.

La thèse sera sous contrat de type CIFRE.

Si ce profil vous ressemble, n’attendez plus et venez rejoindre notre équipe !

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